半導體行業跟蹤報告之二十八：存儲跌價即將結束 25Q2價格有望逐步回升

NAND Flash 合同價有望於25Q2 開始上漲，漲價趨勢有望持續至25 年底。

TrendForce 集邦谘詢認為，NAND Flash 市場供需結構將有望在25 年下半年顯著改善，包含原廠減產、智能手機庫存去化、AI 及DeepSeek 效應等因素將推升NAND Flash 需求，從而緩解供過於求的局麵，預期下半年將迎來價格回升。

根據閃徳資訊，隨著NAND Flash 廠商積極減產以維持供需秩序，NAND Flash下遊有望於2025 年第二季度進入補庫存周期，NAND Flash 合同價也有望於2025 年第二季度開始上漲，漲價趨勢至少可持續至2025 年底，NAND Flash 下半年有望轉為供不應求。此外，自2024 年第四季起，中國政府持續推出的以舊換新補貼政策有效地刺激智能手機銷量，加速NAND Flash 庫存去化速度。智能手機品牌廠有機會在2025 年第二季擴大低價庫存，帶動需求動能。

DRAM 現貨價或已接近底部。根據閃存市場，2025 年第一季度受2024 年末庫存調整影響，消費級DRAM 價格小幅下跌（約3-5%），企業級產品因需求穩定保持平穩；2025 年第二季度AI 芯片缺貨緩解帶動HBM（高帶寬內存）配套DRAM需求，價格環比上漲5-8%；2025 年第三季度傳統消費電子旺季備貨啟動，疊加手機廠商提前采購LPDDR6，價格漲幅將擴大至10-12%；2025 年第四季度供需趨於平衡，價格高位震蕩，全年綜合漲幅預計達15-18%。根據閃徳資訊，2025 年2 月24 日至2025 年2 月28 日當周，DRAM 市場保持穩定，交易較前兩周有所提升。D3、D4 現貨供應充足，價格大幅上漲的可能性較低。D5 上周現貨顆粒價格有所上調，但加工條價格上漲空間有限，且市場對D5 的消耗仍未達到預期水平，短期價格波動有限。

三星發布9100 Pro PCIe 5.0 SSD， 美光1DRAM 內存開始出貨。三星發布了9100 PRO PCIe 5.0 NVMe SSD。9100 PRO SSD 采用了PCIe 5.0 x4 接口，外形為M.2 2280 規格，提供了1TB、2TB、4TB 和8TB 四種容量可選。美光宣布，已向生態係統合作夥伴及部分客戶提供基於1𛞣€第六代（10nm 級）DRAM節點的DDR5 內存樣品。基於1節點的16Gb DDR5 產品DDR5 內存速度可達9200MT/s，較上一代提升15%，可滿足數據中心、端側AI 設備對高性能計算的需求。

三星將使用長江存儲專利技術。據韓國媒體ZDNet Korea 2025 年2 月24 日報道稱，三星電子近期已與中國存儲芯片廠商長江存儲簽署了開發堆疊400 多層NAND Flash 所需的“混合鍵合”（Hybrid Bonding）技術的專利許可協議，以便從其第10 代（V10）NAND Flash 產品（430 層）開始使用該專利技術來進行製造。該報道稱，三星之所以選擇向長江存儲獲取“混合鍵合”專利授權，主要由於目前長江存儲在“混合鍵合”技術方麵處於全球領先地位。三星經過評估認為，從下一代V10 NAND 開始，其已經無法再避免長江存儲專利的影響。

投資建議：存儲跌價即將結束，25Q2 價格有望逐步回升，行業拐點來臨。建議關注1）模組：、、、、；2）DDR5：、；3）利基型：、、、、。

風險分析：半導體需求不及預期風險、宏觀經濟不如預期風險、行業競爭加劇風險。